- 专利标题: 一种半导体复合多孔壁二氧化钛空心球材料及其制备方法
- 专利标题(英): Semiconductor compound porous wall titanium dioxide hollow sphere material and preparation method thereof
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申请号: CN201010152118.8申请日: 2010-04-21
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公开(公告)号: CN102234133B公开(公告)日: 2013-08-14
- 发明人: 黄富强 , 吕旭杰
- 申请人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
- 申请人地址: 上海市定西路1295号
- 专利权人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
- 当前专利权人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
- 当前专利权人地址: 上海市定西路1295号
- 主分类号: C01G23/053
- IPC分类号: C01G23/053
摘要:
本发明涉及一种半导体复合多孔壁二氧化钛空心球材料,并提供一种该材料简易的制备方法。其特征在于采用含结晶水的盐,通过反应提供钛源水解所需的水并作为二氧化钛空心球形成的模板。该方法首先将含结晶水的盐加入到非水溶剂中,搅拌一段时间后得到悬浊液,往其中加入钛源,继续搅拌;将得到的反应前驱液移入反应器中在一定的温度下液相反应一定的时间,结晶水逐渐释放使钛源水解得到沉淀,沉淀物洗涤干燥即得半导体复合二氧化钛空心球材料。本发明的制备工艺简单,成本低廉,对环境友好,具有较大的应用潜力;通过选择不同的含结晶水盐,可以得到性能丰富的半导体复合二氧化钛空心球材料,将其应用于光催化和染料敏化太阳电池领域,均显示了良好的性能。
公开/授权文献
- CN102234133A 一种半导体复合多孔壁二氧化钛空心球材料及其制备方法 公开/授权日:2011-11-09
IPC分类: