本发明涉及一种能够用于大批量LED外延生长的悬喷式MOCVD反应器，包括喷嘴、基座、盖板、导流孔和反应区，喷嘴置于基座中心，喷嘴包括上喷嘴和下喷嘴，下喷嘴位于上喷嘴下部，且上喷嘴和下喷嘴分别设有两个径向通道；所述基座包括大石墨盘，所述大石墨盘内沿圆周方向设有小石墨盘，各小石墨盘内沿圆周方向设有晶片衬底，大石墨盘底部设有公转驱动机构，各小石墨盘底部设有自转驱动机构；反应区腔体内壁沿圆周方向设有导流孔。本发明作为一种悬喷式MOCVD反应器，可提高薄膜沉积的均匀性和源材料利用率，延长基座石墨盘寿命，还可改进源气体引入和载气的分布，优化反应器尺寸和盖板曲面设计，抑制涡流的产生。