- 专利标题: 成膜方法和成膜装置以及永磁铁和永磁铁的制造方法
-
申请号: CN201110172131.4申请日: 2006-03-14
-
公开(公告)号: CN102242342B公开(公告)日: 2014-10-01
- 发明人: 永田浩 , 新垣良憲
- 申请人: 株式会社爱发科
- 申请人地址: 日本神奈川县
- 专利权人: 株式会社爱发科
- 当前专利权人: 株式会社爱发科
- 当前专利权人地址: 日本神奈川县
- 代理机构: 北京英特普罗知识产权代理有限公司
- 代理商 齐永红
- 优先权: 2005-080021 2005.03.18 JP
- 分案原申请号: 2006800087263 2006.03.14
- 主分类号: C23C14/24
- IPC分类号: C23C14/24 ; C23C14/16 ; H01F41/02 ; H01F1/057
摘要:
在有效利用作为成膜材料的Dy、Tb的同时,通过在具有规定形状的铁-硼-稀土系的磁铁表面高速成膜来提高生产率,能以低成本制造出永磁铁。通过在具有规定形状的铁-硼-稀土系磁铁表面上形成Dy膜的成膜工序以及通过在规定温度下实施热处理,使在表面上成膜的Dy扩散到磁铁的晶界相的扩散工序制造永磁铁。在上述情况下,成膜工序由加热实施该成膜工序的处理室,使预先配置在该处理室内的Dy蒸发,在处理室内形成具有规定的蒸汽压的Dy蒸汽气氛的第1工序,以及将保持在低于处理室内的温度上的磁铁送入处理室,在该磁铁达到规定温度之前,利用处理室内和磁铁之间的温差,使Dy选择性地附着沉积到磁铁表面的第2工序构成。
公开/授权文献
- CN102242342A 成膜方法和成膜装置以及永磁铁和永磁铁的制造方法 公开/授权日:2011-11-16
IPC分类: