本发明公开了一种用于射频集成电路的静电放电防护器件，包括P型衬底，P型衬底上设有第一N阱、第一P阱、第二N阱、第二P阱、第三N阱和深N阱，第一N阱上方从左到右依次设有第一N+注入区和第一P+注入区；所述的第二N阱上方从左到右依次设有第二N+注入区和第二P+注入区；所述的第二P阱上方从左到右依次设有第三N+注入区和第二P+注入区；相邻的每两个注入区之间均设有浅沟槽隔离，并且在第三P+注入区和第三N阱之间也设有浅沟槽隔离。本发明利用二极管串寄生可控硅结构，来实现触发电压值可调，鲁棒性强，寄生电容小的防护器件。