发明授权
CN102245734B M-C-N-O系荧光体的制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： M-C-N-O系荧光体的制造方法
- 专利标题（英）： Process for producing m-c-n-o-based phosphor
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申请号： CN200980149606.9申请日： 2009-12-07
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公开(公告)号： CN102245734B公开(公告)日： 2014-01-22
- 发明人: 高井淳 , 岩崎秀治 , 费瑞·依斯坎达 , 奥山喜久夫
- 申请人： 国立大学法人广岛大学 , 株式会社可乐丽
- 申请人地址： 日本广岛县
- 专利权人： 国立大学法人广岛大学,株式会社可乐丽
- 当前专利权人： 国立大学法人广岛大学,株式会社可乐丽
- 当前专利权人地址： 日本广岛县
- 代理机构： 北京林达刘知识产权代理事务所
- 代理商 刘新宇; 李茂家
- 优先权： 2008-313454 2008.12.09 JP; 2009-241626 2009.10.20 JP
- 国际申请： PCT/JP2009/070450 2009.12.07
- 国际公布： WO2010/067767 JA 2010.06.17
- 进入国家日期： 2011-06-09
- 主分类号： C09K11/08
- IPC分类号： C09K11/08 ; C01B35/10 ; C01F7/00 ; C09K11/63 ; C09K11/65
摘要：
本发明提供制造发光不均匀减少、色纯度提高了的M-C-N-O系荧光体的方法。更具体而言，本发明提供由IIIB族元素(M)、碳(C)、氮(N)和氧(O)构成的M-C-N-O系荧光体的制造方法，该制造方法包括：将包含含IIIB族元素化合物和含氮有机化合物的混合物加热来生成热解物的工序；将包含所得热解物的产物破碎的工序；以及将所得破碎物焙烧的工序。
公开/授权文献
- CN102245734A M-C-N-O系荧光体的制造方法 公开/授权日：2011-11-16
