发明授权
CN102249663B 一种铋基钒基低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 一种铋基钒基低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法
- 专利标题（英）： Bismuth-vanadium-based low temperature sintered microwave dielectric ceramic material and preparation method thereof
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申请号： CN201110100849.2申请日： 2011-04-21
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公开(公告)号： CN102249663B公开(公告)日： 2013-05-22
- 发明人: 周迪 , 汪宏 , 姚熹 , 郭靖 , 张高群 , 吴颖 , 吴新光
- 申请人： 西安交通大学
- 申请人地址： 陕西省西安市咸宁西路28号
- 专利权人： 西安交通大学
- 当前专利权人： 西安交通大学
- 当前专利权人地址： 陕西省西安市咸宁西路28号
- 代理机构： 西安通大专利代理有限责任公司
- 代理商 陆万寿
- 主分类号： C04B35/453
- IPC分类号： C04B35/453 ; C04B35/495 ; C04B35/64
摘要：
本发明公开了一种铋基钒基低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法。以结构通式(A+A3+)0.5(B5+B6+)0.5O4为基础，选取低价态Na+离子和Bi3+联合占据A位，高价态的Mo6+和V5+复合阳离子占据B位，通过传统固相反应烧结的方法，得到了一系列可以在800℃以下温度范围内烧结，高微波介电常数(34.4≤εr≤79.3)、谐振频率温度系数可调(-263ppm/℃≤TCF≤+43ppm/℃)且微波介电损耗低(高品质因数Qf值，5,000GHz≤Qf≤12,000GHz)的陶瓷材料。其具体结构表达式为：(Na0.5xBi1-0.5x)(MoxV1-x)O4，式中0.0＜x＜1.0。
公开/授权文献
- CN102249663A 一种铋基钒基低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法 公开/授权日：2011-11-23
IPC分类:
