本发明提供一种半导体器件。例如，与位线(BL)平行地配置多个扩散层(L)，在扩散层(L)之间与位线(BL)交替地配置栅极(G)，对在位线(BL)方向排列的多个扩散层(L)，按照每个扩散层(L)交叉地配置位线接触件(BC)和源极节点接触件(SC)，在源极节点接触件(SC)上设置相变元件，从而由2个存储单元晶体管(Q1、Q2)和1个相变元件构成1个存储单元(MC)。另外，相变元件也能够不设置在源极节点接触件(SC)上而设置在位线接触件(BC)上。由此，例如能够实现存储单元晶体管的驱动能力的提高和面积的减小等。