发明授权
CN102254803B 电阻型存储器的制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 电阻型存储器的制备方法
- 专利标题（英）： Method for manufacturing resistive type memory
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申请号： CN201110221864.2申请日： 2011-08-04
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公开(公告)号： CN102254803B公开(公告)日： 2013-05-01
- 发明人: 王慰
- 申请人： 江苏畅微电子科技有限公司
- 申请人地址： 江苏省常熟经济开发区通港路88号
- 专利权人： 江苏畅微电子科技有限公司
- 当前专利权人： 江苏畅微电子科技有限公司
- 当前专利权人地址： 江苏省常熟经济开发区通港路88号
- 代理机构： 北京五洲洋和知识产权代理事务所
- 代理商 张向琨; 刘春成
- 主分类号： H01L21/265
- IPC分类号： H01L21/265 ; H01L45/00
摘要：
本发明提供一种电阻型存储器的制备方法，包括步骤：对下电极构图，对所述下电极进行氧离子注入，以使下电极形成氧化物存储介质层；对所述氧化物存储介质层进行退火处理；以及在所述氧化物存储介质层上构图并形成上电极。根据本发明所述的电阻型存储器的制备方法，存储介质层与下电极基体间不产生空洞，氧化物存储介质层均匀，O元素在氧化物存储介质层中的分布均匀。采用所述方法制备的电阻型存储器具有制作成本低、效果好、易与CMOS工艺集成的优点。
公开/授权文献
- CN102254803A 电阻型存储器的制备方法 公开/授权日：2011-11-23
IPC分类:
