本发明公开了制造功率半导体器件的方法，于衬底形成较宽沟槽及较窄沟槽，沉积第一栅极材料层，但较宽沟槽未被填满。进行各向同性回蚀刻或各向异性回蚀刻，将位于较宽沟槽内及衬底原始表面上方的第一栅极材料层移除。进行倾角离子注入，于衬底原始表面及较宽沟槽侧壁与底面位置的衬底中形成第一掺杂物层。沉积第二栅极材料层，填满较宽沟槽及较窄沟槽。进行各向异性回蚀刻移除衬底原始表面上方的栅极材料层。进行离子注入，于衬底原始表面的表层中形成第二掺杂物层。将第一掺杂物层及第二掺杂物层的掺杂物驱入衬底，以于衬底中形成基体及形成围绕较宽沟槽底部并与基体相邻的底部轻掺杂层。如此可改善不均匀电场，维持高及稳定的击穿电压。