本发明公开了一种高压直流发光二极管芯片制造方法及其结构。该制造方法利用倒装工艺将多个已经分选好的发光二极管芯片单元倒装于设有串联电路的高导热基底表面，接着利用键合设备将已经倒装在基底上的芯片做键合工艺，使多个所述发光二极管芯片单元依次串联；将已经串联在导热基底上的芯片做激光剥离工艺，去除蓝宝石衬底；形成高压直流发光二极管。本发明将常规的芯片单元键合在已经设有串联电路的高导热芯片基底上进行蓝宝石剥离，方法简单、易操作，有利于芯片良品率及生产效率的提高；制作的芯片结构可以以增加串联芯片个数的方式增加芯片的输入功率，从而减小了pn结在大电流工作状态下的热损伤，防止了当流过pn结的电流密度过大时光效下降。同时，由于采用高导热基底及相对较小的工作电流，减少了热对芯片造成的损失，进一步提高了芯片的寿命。