外延衬底、外延衬底的制备方法及外延衬底作为生长外延层的应用

Invention Grant

CN102263171B 外延衬底、外延衬底的制备方法及外延衬底作为生长外延层的应用有权

Patent Title: 外延衬底、外延衬底的制备方法及外延衬底作为生长外延层的应用
Patent Title (English): Epitaxial substrate, preparation method for epitaxial substrate and application of epitaxial substrate as grown epitaxial layer
Application No.: CN201110172964.0

Application Date: 2011-06-24
Publication No.: CN102263171B

Publication Date: 2013-10-09
Inventor: 魏洋 , 范守善
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
Applicant Address: 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室
Assignee: 清华大学,鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
Current Assignee: 清华大学,鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
Current Assignee Address: 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室
Main IPC: H01L33/12
IPC: H01L33/12 ; H01L33/00

Abstract:

本发明涉及一种外延衬底，用于生长外延层，该外延衬底包括：一基底，该基底具有一图案化的表面作为外延生长面，其中，所述外延衬底进一步包括一碳纳米管层覆盖所述基底的外延生长面设置。本发明进一步提供外延衬底的制备方法及其作为生长外延层的应用。

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L33/00	至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L27/15；半导体激光器入H01S5/00）
H01L33/02	.以半导体为特征的
H01L33/12	..具有一个应力弛豫结构，例如缓冲层