光伏电池和提高半导体层堆叠中的光俘获的方法

Invention Grant

CN102272944B 光伏电池和提高半导体层堆叠中的光俘获的方法失效 - 权利终止转让

Patent Title: 光伏电池和提高半导体层堆叠中的光俘获的方法
Patent Title (English): Photovoltaic cells and methods to enhance light trapping in semiconductor layer stacks
Application No.: CN201080004010.2

Application Date: 2010-04-19
Publication No.: CN102272944B

Publication Date: 2013-08-14
Inventor: K·M·考克雷 , B·斯特姆松 , S·罗森特赫尔
Applicant: 薄膜硅公司
Applicant Address: 美国加利福尼亚
Assignee: 薄膜硅公司
Current Assignee: 阳基集团有限公司
Current Assignee Address: 美国加利福尼亚
Agency: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
Agent 王莉莉
Priority: 61/176,072 2009.05.06 US
International Application: PCT/US2010/031610 2010.04.19
International Announcement: WO2010/129163 EN 2010.11.11
Date entered country: 2011-07-06
Main IPC: H01L31/042
IPC: H01L31/042 ; H01L31/18

Abstract:

一种光伏电池包括衬底、半导体层堆叠、反射和导电电极层和纹理模板层。半导体层堆叠布置在衬底上方。电极层位于衬底和半导体层堆叠之间。模板层位于衬底和电极层之间。模板层包括把预定形状应用于电极层的波状上表面。电极层基于电极层的预定形状把光反射回至半导体层堆叠。

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L31/00	对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L27/00）
H01L31/04	.用作光伏〔PV〕转换器件（制造中其测试入H01L21/66；制造之后其测试入H02S50/10）
H01L31/042	..单个光伏电池的光伏模块或者阵列（用于光伏模块的支撑结构入H02S20/00）