本发明公开了一种在平面化工艺中防止对准标记受损的方法及以此方法形成的半导体元件。其中，在平面化工艺中防止对准标记受损的方法包括：提供一衬底，在衬底中形成多个对准标记沟道，在衬底上形成第一介电层，在第一介电层上形成第二介电层，图案化第二介电层以暴露出相关于对准标记沟道的第一介电层，以形成一图案化的第二介电层，其中对准标记沟道及图案化的第二介电层界定出多个开口，在图案化的第二介电层上形成一第三介电层，且第三介电层填满开口，以及利用图案化的第二介电层作为终止层，将第三介电层平面化，在开口中形成残留的第三介电层。