Invention Grant
- Patent Title: 一种光刻机NA-Sigma配置的优化方法
- Patent Title (English): Optimization method for NA-Sigma configuration of photoetching machine
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Application No.: CN201110231966.2Application Date: 2011-08-14
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Publication No.: CN102289156BPublication Date: 2013-06-05
- Inventor: 李艳秋 , 郭学佳
- Applicant: 北京理工大学
- Applicant Address: 北京市海淀区中关村南大街5号
- Assignee: 北京理工大学
- Current Assignee: 北京理工大学
- Current Assignee Address: 北京市海淀区中关村南大街5号
- Agency: 北京理工大学专利中心
- Agent 李爱英; 杨志兵
- Main IPC: G03F7/20
- IPC: G03F7/20
Abstract:
本发明提供一种光刻机NA-Sigma配置的优化方法；具体过程为：在事先设定两个优化方向选取具有最大光刻焦深的点；当所选取的点不满足条件时，计算新的优化方向，并获取新的优化方向上对应的最大光刻焦深的点，进一步判断所获取的点是否满足条件；当不满足时，对所选取的优化方向进行更新，直至获取的最大光刻焦深的点满足条件为止。采用本发明可以快速有效地优化得出最优的NA-Sigma配置，得到最大的光刻焦深，并有较高的精度。
Public/Granted literature
- CN102289156A 一种光刻机NA-Sigma配置的优化方法 Public/Granted day:2011-12-21
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