Invention Grant
- Patent Title: 图像传感器及其制造方法
- Patent Title (English): Image sensor and manufacturing method thereof
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Application No.: CN201110268154.5Application Date: 2011-09-09
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Publication No.: CN102290426BPublication Date: 2013-01-02
- Inventor: 丁毅岭 , 汪辉 , 陈杰 , 田犁 , 汪宁 , 尚岩峰
- Applicant: 上海中科高等研究院
- Applicant Address: 上海市浦东新区张江高科技园区海科路99号
- Assignee: 上海中科高等研究院
- Current Assignee: 蚌埠格识知识产权运营有限公司
- Current Assignee Address: 上海市浦东新区张江高科技园区海科路99号
- Agency: 上海专利商标事务所有限公司
- Agent 陈亮
- Main IPC: H01L27/146
- IPC: H01L27/146
Abstract:
本发明提供一种图像传感器的制造方法,包括步骤:提供带有绝缘埋层的半导体衬底;选定图像传感器的感光二极管区域,依次刻蚀顶层半导体层和绝缘层至露出支撑衬底表面;对露出的支撑衬底进行离子注入和扩散形成隔离区以及隔离区内包围的阱区;在阱区上掺杂形成第一掺杂区,期与阱区之间留有用于互连的空间;制作信号读出电路。相应地,本发明还提供一种图像传感器,将感光二极管区域被重掺杂的隔离区包围,通过隔离区可产生更深的耗尽区,提供光吸收效率,同事对辐照在支撑衬底中产生的电子空穴起到隔离作用,提高其抗辐照性能。
Public/Granted literature
- CN102290426A 图像传感器及其制造方法 Public/Granted day:2011-12-21
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