发明授权
CN102299102B 具备漏极电压保护的功率半导体组件及其制作方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 具备漏极电压保护的功率半导体组件及其制作方法
- 专利标题（英）： Power semiconductor assembly with drain voltage protection and manufacturing method thereof
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申请号： CN201010210211.X申请日： 2010-06-22
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公开(公告)号： CN102299102B公开(公告)日： 2013-11-20
- 发明人: 林伟捷 , 杨国良 , 叶人豪 , 林家福
- 申请人： 茂达电子股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹
- 专利权人： 茂达电子股份有限公司
- 当前专利权人： 茂达电子股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹
- 代理机构： 深圳新创友知识产权代理有限公司
- 代理商 江耀纯
- 主分类号： H01L21/77
- IPC分类号： H01L21/77 ; H01L27/04
摘要：
本发明提供一种具备漏极电压保护的功率半导体组件，包含有一半导体基底、一沟槽式栅极晶体管组件以及一沟槽式静电防护组件。半导体基底的上表面具有一第一沟槽与一第二沟槽。沟槽式栅极晶体管组件是设置于第一沟槽与半导体基底中，而沟槽式静电防护组件设置于第二沟槽中，且包含一第一掺杂区、一第二掺杂区以及一第三掺杂区。第二掺杂区与第三掺杂区分别电性连接于沟槽式栅极晶体管组件的漏极与栅极。借此提供优良的静电防护能力。
公开/授权文献
- CN102299102A 具备漏极电压保护的功率半导体组件及其制作方法 公开/授权日：2011-12-28
IPC分类:
