发明授权
CN102299175B InAlN/GaN异质结有源区的埋层结构和激活方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： InAlN/GaN异质结有源区的埋层结构和激活方法
- 专利标题（英）： Buried layer structure of InAIN/GaN heterogenous-junction active-area and activation method thereof
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申请号： CN201110250158.0申请日： 2011-08-29
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公开(公告)号： CN102299175B公开(公告)日： 2013-07-17
- 发明人: 邢东 , 冯志红 , 房玉龙 , 刘波 , 张雄文 , 敦少博 , 蔡树军
- 申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
- 申请人地址： 河北省石家庄市合作路113号
- 专利权人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
- 当前专利权人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
- 当前专利权人地址： 河北省石家庄市合作路113号
- 代理机构： 石家庄国为知识产权事务所
- 代理商 米文智
- 主分类号： H01L29/778
- IPC分类号： H01L29/778 ; H01L29/06 ; H01L29/205 ; H01L21/335 ; H01L21/02
摘要：
本发明公开了一种InAlN/GaN异质结有源区的埋层结构和激活方法，所述埋层结构包括由下至上依次排列的半绝缘衬底、InxAlN/GaN异质结、刻蚀终止层、缓冲层和半导体层。所述激活方法为用干法或湿法或干湿混合的方法刻蚀到InAlN层，然后再用碱性腐蚀液选择刻蚀InAlN，使刻蚀停止在刻蚀终止层上，实现刻蚀深度的精确控制。本发明实现了InAlN/GaNHEMT异质结器件与其他半导体器件（其组分含In、Al、Ga、N元素）的连接，将不同器件集成在一个晶圆片上。为将来实现InxAlN/GaNHEMT与其他半导体器件（半导体由In，Ga，Al，N至少两种元素以上组成）的集成提供了一条新技术路线。
公开/授权文献
- CN102299175A InAlN/GaN异质结有源区的埋层结构和激活方法 公开/授权日：2011-12-28
IPC分类:
