发明授权
CN102305960B 一种电场诱导凸形界面二维光子晶体的制备工艺
失效 - 权利终止
- 专利标题： 一种电场诱导凸形界面二维光子晶体的制备工艺
- 专利标题（英）： Process for preparing electric field induced convex interface two-dimensional photonic crystal
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申请号： CN201110192967.0申请日： 2011-07-11
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公开(公告)号： CN102305960B公开(公告)日： 2013-02-27
- 发明人: 丁玉成 , 邵金友 , 刘红忠 , 田洪淼 , 李祥明 , 李欣
- 申请人： 西安交通大学
- 申请人地址： 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号
- 专利权人： 西安交通大学
- 当前专利权人： 西安交通大学
- 当前专利权人地址： 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号
- 代理机构： 西安智大知识产权代理事务所
- 代理商 贺建斌
- 主分类号： G02B6/13
- IPC分类号： G02B6/13
摘要：
一种电场诱导凸形界面二维光子晶体的制备工艺，先进行诱导模板的制备，再进行基材的选择及处理，然后进行电场诱导光子晶体功能材料流变成型，最后进行聚合物材料的固化及后处理，从而得到具有一定曲率的凸形界面二维光子晶体结构，可以广泛地应用在芯片实验室、高电容解耦式电容器、太阳能电池、平板式显示器等方面。
公开/授权文献
- CN102305960A 一种电场诱导凸形界面二维光子晶体的制备工艺 公开/授权日：2012-01-04
