发明授权
CN102312207B 成膜装置
失效 - 权利终止
- 专利标题: 成膜装置
- 专利标题(英): Film forming device
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申请号: CN201110177715.0申请日: 2011-06-29
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公开(公告)号: CN102312207B公开(公告)日: 2013-10-23
- 发明人: 楠敏明 , 三宅龙也 , 山本健一 , 玉腰武司
- 申请人: 株式会社日立高新技术
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: 株式会社日立高新技术
- 当前专利权人: 株式会社日立高新技术
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 许海兰
- 优先权: 2010-147918 2010.06.29 JP
- 主分类号: C23C14/35
- IPC分类号: C23C14/35
摘要:
本发明提供一种成膜装置。在薄膜有机EL材料之上进行低损坏且高速的溅射成膜而不会使成膜装置大型化。将磁控管等离子体(20)封闭在可动式屏蔽电极(13)内,所述可动式屏蔽电极(13)在靶材料11侧为开口、在基板侧具有在关闭面内使溅射粒子通过的缝隙,使可动式屏蔽电极(13)和磁控管(17)同时扫描,以进行针对下层膜的损坏较少的成膜,之后,仅仅磁控管(17)扫描以进行利用磁控管等离子体的高速成膜。据此,就能够进行对下层膜损坏较少、且高速的成膜。
公开/授权文献
- CN102312207A 成膜装置 公开/授权日:2012-01-11
IPC分类: