- 专利标题: 一种用于降低等离子体显示器功耗的场发射阵列制备方法
- 专利标题(英): Preparation method of field-emission array for reducing power consumption of plasma display
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申请号: CN201110218482.4申请日: 2011-07-29
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公开(公告)号: CN102315059B公开(公告)日: 2013-09-25
- 发明人: 王艳 , 朱斌 , 刘启发 , 杨卓青 , 丁桂甫
- 申请人: 上海交通大学
- 申请人地址: 上海市闵行区东川路800号
- 专利权人: 上海交通大学
- 当前专利权人: 上海交通大学
- 当前专利权人地址: 上海市闵行区东川路800号
- 代理机构: 上海汉声知识产权代理有限公司
- 代理商 郭国中
- 主分类号: H01J9/02
- IPC分类号: H01J9/02 ; H01J17/06
摘要:
本发明公开一种用于降低等离子体显示器功耗的场发射阵列制备方法,先进行PDP前面板的清洗烘干;均匀碳纳米管薄膜的制作;在碳纳米管上制备透明薄膜;旋涂光刻胶、烘胶、曝光、显影,把需要刻蚀掉的薄膜图形露出,然后以光刻胶做掩模进行刻蚀,将阵列结构制作于电场强度较强的前面板位置;用丙酮和乙醇分别对样品进行浸泡刻蚀,去除光刻胶,最后用去离子水或乙醇超生清洗,去除未被阵列覆盖的CNT,得到碳纳米管阵列结构;制备氧化镁保护层,得到碳纳米管辅助结构,最终得到场发射阵列。本发明不但能够使得冷阴极发射可以产生更多的启动电子,以降低驱动电压,而且在放电过程中有更多的电子,可提高PDP的放电效率,增强其光效。
公开/授权文献
- CN102315059A 一种用于降低等离子体显示器功耗的场发射阵列制备方法 公开/授权日:2012-01-11