本发明提出一种基于湿法腐蚀制备硅纳米线场效应晶体管的方法，包括：定义有源区；淀积氧化硅薄膜作为硬掩膜；并形成源漏和连接源漏的细条状的图形结构；通过刻蚀硅工艺，将硬掩膜上的图形结构转移到硅材料上；抑制底管离子注入；通过湿法腐蚀硅材料，悬空连接源漏的硅细线条；将硅细线条缩小到纳米尺寸形成硅纳米线；淀积多晶硅薄膜；通过电子束光刻形成多晶硅栅线条，跨过硅纳米线，并形成全包围纳米线的结构；通过在衬底上淀积氧化硅薄膜和接下来的刻蚀氧化硅工艺，在多晶硅栅线条两侧形成氧化硅侧墙；通过离子注入和高温退火，形成源漏结构，最终制备出纳米线场效应晶体管，该方法与常规集成电路制造技术兼容，制备工艺简单、方便、周期短。