发明授权
- 专利标题： 半导体器件及其制造方法
- 专利标题（英）： Semiconductor device and making method thereof
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申请号： CN201010226347.X申请日： 2010-07-06
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公开(公告)号： CN102315262B公开(公告)日： 2013-11-20
- 发明人: 范爱民
- 申请人： 西安能讯微电子有限公司
- 申请人地址： 陕西省西安市高新区高新一路25号创新大厦N701
- 专利权人： 西安能讯微电子有限公司
- 当前专利权人： 苏州能讯高能半导体有限公司
- 当前专利权人地址： 陕西省西安市高新区高新一路25号创新大厦N701
- 代理机构： 北京市中咨律师事务所
- 代理商 杨晓光; 刘瑞东
- 主分类号： H01L29/778
- IPC分类号： H01L29/778 ; H01L29/40 ; H01L21/335
摘要：
本发明涉及半导体器件及其制造方法。根据本发明的一个方面的半导体器件，包括：在衬底上的半导体层；在上述半导体层上的隔离层；在上述隔离层上的钝化层；与上述半导体层电气相通的源极和漏极；以及在上述隔离层上的栅极；其中，上述栅极包括下部、中部和上部，上述下部和/或上述中部构成场板结构。
公开/授权文献
- CN102315262A 半导体器件及其制造方法 公开/授权日：2012-01-11
IPC分类:
