发明授权
CN1023162C 集成真空微电子器件及其制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 集成真空微电子器件及其制造方法
- 专利标题（英）： Process and structure of integrated vacuum microelectronic device
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申请号： CN91104164.8申请日： 1991-06-18
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公开(公告)号： CN1023162C公开(公告)日： 1993-12-15
- 发明人: 史蒂文·M·齐默尔曼
- 申请人： 国际商业机器公司
- 申请人地址： 美国纽约
- 专利权人： 国际商业机器公司
- 当前专利权人： 国际商业机器公司
- 当前专利权人地址： 美国纽约
- 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利代理部
- 代理商 冯赓瑄
- 优先权： 07/555,214 1990.07.18 US
- 主分类号： H01J1/30
- IPC分类号： H01J1/30 ; H01J9/02 ; H01J19/24 ; H01J21/00
摘要：
本发明涉及一种新的集成真空微电子器件及其制造方法。真空微电子器件需要满足几种特定三维结构的要求：即税利的场发射尖端、真空环境中在控制栅极结构内的该尖端精确对准，以及用于收集由尖端发射出的电子的阳极。最终制得的集成真空微电子器件还可以与其它类似的VMD器件或其它器件相连。
公开/授权文献
- CN1058294A 集成真空微电子器件的结构与制造方法 公开/授权日：1992-01-29
