Invention Grant
CN102345104B 一种大磁电阻效应Fe-Ti-O非晶态薄膜的制备方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 一种大磁电阻效应Fe-Ti-O非晶态薄膜的制备方法
- Patent Title (English): Preparation method of colossal magnetoresistance effect Fe-Ti-O amorphous film
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Application No.: CN201110287569.7Application Date: 2011-09-26
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Publication No.: CN102345104BPublication Date: 2013-03-06
- Inventor: 王晓姹 , 陈希明 , 杨保和
- Applicant: 天津理工大学
- Applicant Address: 天津市南开区红旗南路延长线天津理工大学主校区
- Assignee: 天津理工大学
- Current Assignee: 天津理工大学
- Current Assignee Address: 天津市南开区红旗南路延长线天津理工大学主校区
- Agency: 天津佳盟知识产权代理有限公司
- Agent 侯力
- Main IPC: C23C14/35
- IPC: C23C14/35 ; C23C14/06
Abstract:
一种大磁电阻效应Fe-Ti-O非晶态薄膜的制备方法,采用超高真空三靶共沉积磁控溅射镀膜机制备,本步骤如下:1)在镀膜机的靶头上分别安装一个Ti靶和Fe靶;2)将玻璃基底安装基底架上;3)开启磁控溅射设备给溅射室抽真空;4)向真空室通入O2和Ar的混合气体,使得真空室中的真空度为1Pa;5)开启溅射直流电源,分别在Ti靶Fe靶上施加电流和电压;6)打开基片的挡板,转动基片架,在基片上生长薄膜;7)溅射完成后,向真空室充入氮气,即可制得的目标产品。本发明的优点是:该工艺方法工艺简单、易于实施,制得的薄膜具有较高的室温磁电阻效应;生产成本低,适于大规模推广应用。
Public/Granted literature
- CN102345104A 一种大磁电阻效应Fe-Ti-O非晶态薄膜的制备方法 Public/Granted day:2012-02-08
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