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发明公开
CN102364704A 一种CdTe/PbTe中红外发光器件及其制备方法 有权

  • 专利标题： 一种CdTe/PbTe中红外发光器件及其制备方法
  • 专利标题（英）： CdTe/PbTe middle infrared luminescence device and preparation method thereof
  • 申请号： CN201110053124.2
    申请日： 2011-03-07
  • 公开(公告)号： CN102364704A
    公开(公告)日： 2012-02-29
  • 发明人: 吴惠桢 , 蔡春锋
  • 申请人： 浙江大学
  • 申请人地址： 浙江省杭州市西湖区浙大路38号
  • 专利权人： 浙江大学
  • 当前专利权人： 浙江大学
  • 当前专利权人地址： 浙江省杭州市西湖区浙大路38号
  • 代理机构： 杭州求是专利事务所有限公司
  • 代理商 周烽
  • 主分类号： H01L33/00
  • IPC分类号： H01L33/00
一种CdTe/PbTe中红外发光器件及其制备方法
摘要：
本发明公开了一种CdTe/PbTe中红外发光器件及其制备方法，它以CdZnTe或BaF2或GaAs或Si或Ge作为基底，利用分子束外延设备在基底上生长CdTe/PbTe半导体异质结，异质结的发光波长在2～5um中红外波段，基于PbTe和CdTe的极性界面效应可获得强中红外光的发射。它既可直接作为光致中红外发光器件使用，也可作为电致中红外发光器件的有源区材料得到应用，如中红外发光二极管、中红外激光二极管等。
摘要（英）：

The invention discloses a CdTe/PbTe middle infrared luminescence device and a preparation method thereof. CdZnTe or BaF2 or GaAs or Si or Ge is taken as a substrate. Molecular beam epitaxy equipment is used to grow a CdTe/PbTe semiconductor heterojunction on the substrate. A luminescence wavelength is in a middle-infrared band of 2-5 micrometer. Emission of strong middle infrared light can be obtained based on a polarity interface effect of the PbTe and the CdTe. The CdTe/PbTe middle infrared luminescence device can be used as a photoinduced middle-infrared luminescence device and also can beapplied as an active region material of an electro-middle-infrared luminescence device, such as a middle-infrared light emitting diode, a middle-infrared laser diode and the like.

公开/授权文献
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