利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册
发明公开
CN102365752A 光电转换半导体层、其制备方法、光电转换装置和太阳能电池 无效 - 撤回

  • 专利标题： 光电转换半导体层、其制备方法、光电转换装置和太阳能电池
  • 专利标题（英）： Photoelectric conversion semiconductor layer, manufacturing method thereof, photoelectric conversion device, and solar cell
  • 申请号： CN201080013815.3
    申请日： 2010-03-23
  • 公开(公告)号： CN102365752A
    公开(公告)日： 2012-02-29
  • 发明人: 佐藤忠伸 , 菊池信
  • 申请人： 富士胶片株式会社
  • 申请人地址： 日本国东京都
  • 专利权人： 富士胶片株式会社
  • 当前专利权人： 富士胶片株式会社
  • 当前专利权人地址： 日本国东京都
  • 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
  • 代理商 陈平
  • 优先权： 2009-076517 2009.03.26 JP; 2009-232122 2009.10.06 JP
  • 国际申请： PCT/JP2010/055489 2010.03.23
  • 国际公布： WO2010/110467 EN 2010.09.30
  • 进入国家日期： 2011-09-26
  • 主分类号： H01L31/04
  • IPC分类号： H01L31/04
光电转换半导体层、其制备方法、光电转换装置和太阳能电池
摘要：
本发明提供一种光电转换半导体层，所述光电转换半导体层能够在厚度方向提供势能梯度，可以以比通过真空成膜形成层的成本更低的成本被制备，并且能够提供高光电转换效率。光电转换层(30X)通过吸收光产生电流，并且由其中在平面和厚度方向上设置多个粒子(31)的粒子层形成。光电转换层(30X)包含具有不同带隙的多种粒子作为多个粒子(31)，并且该层的势能在厚度方向上分布。
摘要（英）：

A photoelectric conversion semiconductor layer is provided which is capable of providing a potential gradient in the thickness direction, can be manufactured at a lower cost than a layer formed by vacuum film forming, and capable of providing high photoelectric conversion efficiency. Photoelectric conversion layer (30X) generates a current by absorbing light and is formed of a particle layer in which a plurality of particles (31) is disposed in plane and thickness directions. Photoelectric conversion layer (30X) includes, as the plurality of particles (31), a plurality of types of particles having different band-gaps, and the potential in the thickness direction of the layer is distributed.

0/0