发明公开
CN102379044A 光电转换装置
无效 - 撤回
- 专利标题: 光电转换装置
- 专利标题(英): Photoelectric conversion device
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申请号: CN201080015058.3申请日: 2010-05-06
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公开(公告)号: CN102379044A公开(公告)日: 2012-03-14
- 发明人: 坂井智嗣 , 小林靖之
- 申请人: 三菱重工业株式会社
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: 三菱重工业株式会社
- 当前专利权人: 三菱重工业株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 中原信达知识产权代理有限责任公司
- 代理商 高培培; 车文
- 优先权: 2009-224597 2009.09.29 JP
- 国际申请: PCT/JP2010/057768 2010.05.06
- 国际公布: WO2011/040078 JA 2011.04.07
- 进入国家日期: 2011-09-30
- 主分类号: H01L31/04
- IPC分类号: H01L31/04
摘要:
本发明提供具备使反射特性最优化的中间接触层的光电转换装置。光电转换装置(100)在基板(1)上具备在基板(1)的相反侧的表面具备凹凸结构的透明电极层(2)、由两个发电层(91、92)构成的光电转换层(3)、背面电极层(4)、设于两个发电层(91、92)之间的中间接触层(5),中间接触层(5)从基板(1)侧起依次包含以氧化钛为主的氧化钛膜、和以透明导电性氧化物为主的背面侧透明导电膜,氧化钛膜的膜厚在由以下所示的区域的范围内:背面侧透明导电膜的膜厚为5nm时为65nm以上且110nm以下;背面侧透明导电膜的膜厚为10nm时为65nm以上且95nm以下;背面侧透明导电膜的膜厚为15nm时为65nm以上且90nm以下;背面侧透明导电膜的膜厚为20nm时为60nm以上85nm以下;背面侧透明导电膜的膜厚为25nm时为55nm以上且70nm以下;以及背面侧透明导电膜的膜厚为30nm时为55nm以上且65nm以下。