发明授权
- 专利标题: 提拉法在非化学计量比熔体中生长Ca12Al14O33单晶的方法
- 专利标题(英): Pulling method for growing Ca12Al14O33 monocrystal in non-stoichiometric ratio melt
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申请号: CN201110357437.7申请日: 2011-11-11
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公开(公告)号: CN102383186B公开(公告)日: 2013-12-11
- 发明人: 王锐 , 孙金超 , 仇兆忠
- 申请人: 哈尔滨工业大学
- 申请人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 代理机构: 哈尔滨市松花江专利商标事务所
- 代理商 韩末洙
- 主分类号: C30B15/20
- IPC分类号: C30B15/20 ; C30B29/22
摘要:
提拉法在非化学计量比熔体中生长Ca12Al14O33单晶的方法,它涉及Ca12Al14O33单晶的生长方法。本发明要解决现有生长Ca12Al14O33单晶存在对铱坩锅的腐蚀比较严重,透光性大幅度的下降,晶格的畸变和开裂,尺寸限制大等技术问题。方法:一、分别称取CaO和Al2O3;二、然后混合研磨均匀,压片,放入刚玉坩埚中,恒温,降温至室温;三、重复步骤二操作2~3次;四、采用提拉法生长晶体,即得到Ca12Al14O33单晶。在光学方面由于C12A7材料的独特结构,C12A7掺杂材料在蓝光发射和白光的调谐方面可以用于半导体激光器材料。
公开/授权文献
- CN102383186A 提拉法在非化学计量比熔体中生长Ca12Al14O33单晶的方法 公开/授权日:2012-03-21
IPC分类: