发明授权
- 专利标题： 一种高过载、可恢复压力传感器及制造方法
- 专利标题（英）： High-overload and recoverable pressure sensor and manufacturing method thereof
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申请号： CN201110249575.3申请日： 2011-08-29
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公开(公告)号： CN102390803B公开(公告)日： 2015-02-04
- 发明人: 李金华
- 申请人： 常州大学
- 申请人地址： 江苏省常州市武进区滆湖路1号
- 专利权人： 常州大学
- 当前专利权人： 常州校果信息服务有限公司
- 当前专利权人地址： 江苏省常州市武进区滆湖路1号
- 代理机构： 南京经纬专利商标代理有限公司
- 代理商 楼高潮
- 主分类号： B81C1/00
- IPC分类号： B81C1/00 ; G01L1/18
摘要：
本发明涉及硅基压力传感器，特指一种高过载、高线性度、绝压式、可恢复硅基压力传感器及制造方法。本发明通过压敏电阻排列和凸型梁的放大作用，使本发明制备的硅基压力传感器不经放大的信号输出灵敏度是常规硅基压力传感器的两倍以上，而且可以根据量程选用合适的凸型梁的厚度和宽度比，得到最大信号输出。该发明基于传统硅基压力传感器制备原理，利用微电子器件制造技术和MEMS技术，芯片体积小，成本较低，收益高。
公开/授权文献
- CN102390803A 一种高过载、可恢复压力传感器及制造方法 公开/授权日：2012-03-28
