• 专利标题: 一种半导体直流光电变压器
  • 专利标题(英): Semiconductor direct current photoelectric transformer
  • 申请号: CN201110355999.8
    申请日: 2011-11-10
  • 公开(公告)号: CN102427094B
    公开(公告)日: 2013-08-28
  • 发明人: 郭磊
  • 申请人: 郭磊
  • 申请人地址: 北京市海淀区清华大学电子系伟清楼807
  • 专利权人: 郭磊
  • 当前专利权人: 郭磊
  • 当前专利权人地址: 北京市海淀区清华大学电子系伟清楼807
  • 代理机构: 北京清亦华知识产权代理事务所
  • 代理商 张大威
  • 主分类号: H01L31/12
  • IPC分类号: H01L31/12 H01L31/153
一种半导体直流光电变压器
摘要:
本发明提供一种半导体直流光电变压器,包括:隔离层;形成在所述隔离层一侧的多个电光转换结构,所述多个电光转换结构相互串联,且每个电光转换结构包括:第一电极层;形成在所述第一电极层之上的电光转换层;形成在所述电光转换层之上的第二电极层;形成在所述隔离层另一侧的多个光电转换结构,所述多个光电转换结构相互串联,且每个光电转换结构包括:第三电极层;形成在所述第三电极层之上的光电转换层;形成在所述光电转换层之上的第四电极层;所述隔离层、所述第二电极层和所述第三电极层对所述电光转换层发出的工作光线透明。根据本发明实施例的半导体直流光电变压器具有耐高压,无电磁辐射,无线圈结构,不受太阳辐射等影响的优点。
公开/授权文献
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