发明授权
- 专利标题: 等离子体处理装置
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申请号: CN201080020257.3申请日: 2010-04-02
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公开(公告)号: CN102428762B公开(公告)日: 2014-10-08
- 发明人: 卢多维克·葛特 , 提摩太·J·米勒 , 史费特那·瑞都凡诺 , 安东尼·雷诺 , 维克拉姆·辛
- 申请人: 瓦里安半导体设备公司
- 申请人地址: 美国麻萨诸塞州格洛斯特郡都利路35号
- 专利权人: 瓦里安半导体设备公司
- 当前专利权人: 瓦里安半导体设备公司
- 当前专利权人地址: 美国麻萨诸塞州格洛斯特郡都利路35号
- 代理机构: 北京同立钧成知识产权代理有限公司
- 代理商 臧建明
- 优先权: 12/418,120 2009.04.03 US; 12/644,103 2009.12.22 US
- 国际申请: PCT/US2010/029793 2010.04.02
- 国际公布: WO2010/115110 EN 2010.10.07
- 进入国家日期: 2011-11-08
- 主分类号: H05H1/24
- IPC分类号: H05H1/24 ; H05H1/34 ; H01L21/265 ; H01L21/3065 ; H01L21/205
摘要:
一种等离子体处理装置,其包含处理腔室;压板,其定位于处理腔室中,用于支撑工件;源,其经组态以在所述处理腔室中产生等离子体,等离子体具有邻近工件的前表面的等离子体鞘;以及绝缘修改器。绝缘修改器具有间隙以及间隙平面,其中间隙平面由绝缘修改器的最靠近鞘且接近间隙的部分界定。将间隙角度界定为间隙平面与由工件的前表面所界定的平面之间的角度。另外,揭示一种使离子撞击工件的方法,其中撞击工件的离子的入射角范围包含中心角以及角分布,且其中绝缘修改器的使用形成不垂直于工件的中心角。
公开/授权文献
- CN102428762A 等离子体处理装置 公开/授权日:2012-04-25
IPC分类: