本发明公开了一种双保护厄他培南结晶体及其制备方法，所述的双保护厄他培南结晶体具有图1所示的粉末X射线衍射谱图。该结晶体的制备是首先使碳青霉烯母核MAP和厄他培南侧链进行缩合反应，反应结束，将反应液倒入pH值为4～6的缓冲液与酯类溶剂形成的混合溶剂中，萃取分层，再向有机层内加入缓冲液洗涤；有机层用无水硫酸钠干燥、过滤后，于0～30℃搅拌析晶，过滤，洗涤滤饼，真空干燥。本发明提供的双保护厄他培南结晶体稳定性好，纯度高，为后续制备高纯度、质量稳定的厄他培南奠定了基础和提供了保证；且本发明的制备方法简单，原料价廉易得，易于实现规模化，符合工业化生产要求，具有实用推广价值。