- 专利标题： 一种增加半导体器件中MIM电容密度的方法及其结构
- 专利标题（英）： Method for increasing metal-insulating layer-metal (MIM) capacitor density in semiconductor device and structure thereof
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申请号： CN201110194118.9申请日： 2011-07-12
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公开(公告)号： CN102437015B公开(公告)日： 2013-06-26
- 发明人: 胡友存 , 张亮 , 姬峰 , 李磊 , 陈玉文
- 申请人： 上海华力微电子有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号
- 专利权人： 上海华力微电子有限公司
- 当前专利权人： 上海华力微电子有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号
- 代理机构： 上海新天专利代理有限公司
- 代理商 王敏杰
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02 ; H01L23/522
摘要：
本发明公开一种提高半导体器件中MIM（金属-绝缘层-金属）电容密度的方法以及一种包含高密度MIM（金属-绝缘层-金属）电容的半导体器件，通过在基底的阻挡层上设置一层形貌层，刻蚀形貌层使得形貌层具有多个凹槽，使得覆盖在形貌层上的电容基板呈形貌状，来增大了电容基板面积，从而增大了电容密度，同时通过形貌层实现在大电容搭配铜金属极板。本发明相对现有技术并没有增加晶片的的面积，同时，本发明与传统工艺具有很强的兼容性。
公开/授权文献
- CN102437015A 一种增加半导体器件中MIM电容密度的方法及其结构 公开/授权日：2012-05-02
IPC分类:
