Invention Grant
- Patent Title: 一种实现两种不同绝缘层厚度电容的集成方法
- Patent Title (English): Integration method for realizing capacitors with two different insulating layer thicknesses
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Application No.: CN201110235259.0Application Date: 2011-08-17
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Publication No.: CN102437016BPublication Date: 2013-10-09
- Inventor: 景旭斌 , 杨斌 , 郭明升
- Applicant: 上海华力微电子有限公司
- Applicant Address: 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号
- Assignee: 上海华力微电子有限公司
- Current Assignee: 上海华力微电子有限公司
- Current Assignee Address: 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号
- Agency: 上海新天专利代理有限公司
- Agent 王敏杰
- Main IPC: H01L21/02
- IPC: H01L21/02 ; H01L21/822 ; H01L27/06
Abstract:
本发明提供了一种实现两种不同绝缘层厚度电容的集成方法，利用O3/TEOS反应生成的LTO（低温氧化膜）的生长对硅片表面的状态有很强选择性的现象，在不同类型多晶硅表面生长不同厚度的绝缘氧化膜，将之应用到目前PIP电容工艺中，就可以得到2种不同绝缘层厚度的电容结构，提高了设计的灵活性。
Public/Granted literature
- CN102437016A 一种实现两种不同绝缘层厚度电容的集成方法 Public/Granted day:2012-05-02
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IPC分类:
