本发明实施例公开了一种小尺寸MOS器件制造方法，所述方法包括：提供基底，所述基底上具有栅氧化层，所述栅氧化层上具有栅区；在所述栅区两侧的基底内分别形成第一沟槽和第二沟槽；在所述第一沟槽和第二沟槽内分别形成第一轻掺杂漏区和第二轻掺杂漏区；在所述第一沟槽和第二沟槽的外侧基底内分别形成第三沟槽和第四沟槽；在所述第三沟槽和第四沟槽内分别形成源区和漏区。通过本发明所提供的方法，能够实现源/漏浅结，因此能够制造出小尺寸的MOS器件。