本发明一种避免双刻蚀阻挡层引起的接触孔不通的方法，其中，主要包括在所述第一层张应力的刻蚀阻挡层氮化硅与第二层压应力的刻蚀阻挡层氮化硅上表面分别生长一层氧化硅作为后续湿法刻蚀的保护层；使用侧向湿法刻蚀工艺刻蚀掉P型阱与N型阱交叠部分上层的压应力的刻蚀阻挡层氮化硅。使用发明一种避免双刻蚀阻挡层引起的接触孔不通的方法，有效的刻蚀掉P型阱与N型阱交叠部分上层的压应力的刻蚀阻挡层氮化硅，使剩余压应力的刻蚀阻挡层氮化硅不影响对P型沟道金属氧化物半导体空穴迁移率的提高，避免了在后续工艺中接触孔刻蚀不通的问题。