本发明关于一种由感光二极管与电容性次基座所构成的混成堆迭(hybrid stacked)结构，其包含一电容性次基座。该电容性次基座包含：一重掺杂硅基板；一凹槽，在该硅基板的上表面形成；一介电层，在该硅基板的上表面或下表面形成；一第一电极，沉积在该硅基板的下表面而与该硅基板形成一金属绝缘体半导体(MIS，metal-insulator-semiconductor)电容；以及一第二电极，沉积在该硅基板的上表面以及该凹槽的表面上。该堆迭结构还包含一感光二极管，电性(electrically)粘置在位于该凹槽底部的该第二电极上，其中该凹槽的底部尺寸与感光二极管的尺寸相匹配，而具有将感光二极管精密定位的功能。