- 专利标题: 具有高信号电压及高信号/噪声比的红外光传感器
- 专利标题(英): Infrared light sensor having a high signal voltage and a high signal/noise ratio
-
申请号: CN201080024199.1申请日: 2010-04-16
-
公开(公告)号: CN102449453B公开(公告)日: 2014-01-01
- 发明人: 卡斯顿·吉伯乐 , 杰佛瑞·怀特 , 堤姆·察柏蓝
- 申请人: 派洛斯有限公司
- 申请人地址: 英国爱丁堡
- 专利权人: 派洛斯有限公司
- 当前专利权人: 奥斯普雷皮尔有限公司
- 当前专利权人地址: 英国爱丁堡
- 代理机构: 北京银龙知识产权代理有限公司
- 代理商 许静; 安利霞
- 优先权: 102009017845.7 2009.04.17 DE
- 国际申请: PCT/EP2010/055062 2010.04.16
- 国际公布: WO2010/119131 DE 2010.10.21
- 进入国家日期: 2011-12-01
- 主分类号: G01J5/34
- IPC分类号: G01J5/34 ; G01J5/08
摘要:
本发明涉及到红外光检测器(1)的红外光传感器,包括衬底薄膜段(2)以及至少两个传感器芯片(7至10),所述至少两个传感器芯片(7至10)在所述衬底薄膜段(2)上一个接一个地相互固定,且每个包括用热电性敏感材料制成的层组件(11),所述层组件(11)与基电极(12)和头电极(13)电接触,且经设置以使得当所述层组件(11)藉由红外光照射时,每个层组件(11)的所述头电极(13)与所述基电极(12)之间存在每个状态中的电压差;以及用于两个邻近排列的传感器芯片(7至10)的每个状态中的耦合线路(14至16),利用所述耦合线路(14至16)使得所述其中一个传感器芯片(7至9)的所述头电极(13)和所述另一个传感器芯片(8至10)的所述基电极(12)以导电方式相互耦合,以使得所述传感器芯片(7至10)的所述层组件(11)以串联电路形式连接,所述串联电路在其一端处具有所述其中一个基电极(17),且在其另一端处具有所述其中一个头电极(18),在所述电极处,所述串联电路的总电压差可输出为所述层组件(11)的所述各个电压差的总和。
公开/授权文献
- CN102449453A 具有高信号电压及高信号/噪声比的红外光传感器 公开/授权日:2012-05-09