发明授权
- 专利标题: 半导体基板、光电转换器件、半导体基板的制造方法和光电转换器件的制造方法
- 专利标题(英): Semiconductor wafer, photoelectric conversion device, method of producing semiconductor wafer, and method of producing photoelectric conversion device
-
申请号: CN201080023680.9申请日: 2010-06-03
-
公开(公告)号: CN102449775B公开(公告)日: 2014-07-02
- 发明人: 秦雅彦 , 板谷太郎
- 申请人: 独立行政法人产业技术综合研究所
- 申请人地址: 日本国东京都
- 专利权人: 独立行政法人产业技术综合研究所
- 当前专利权人: 独立行政法人产业技术综合研究所
- 当前专利权人地址: 日本国东京都
- 代理机构: 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 蒋亭
- 优先权: 2009-136665 2009.06.05 JP
- 国际申请: PCT/JP2010/003721 2010.06.03
- 国际公布: WO2010/140371 JA 2010.12.09
- 进入国家日期: 2011-11-29
- 主分类号: H01L31/0392
- IPC分类号: H01L31/0392 ; H01L31/076 ; H01L31/054 ; H01L31/18
摘要:
本发明提供一种半导体基板,具有:含硅的基底基板,和形成在基底基板上,具有露出基底基板表面的开口,用于阻碍结晶生长的阻碍体、和接触被露出于开口内部的基底基板表面,形成在开口内部的光吸收构造体,光吸收构造体具有第1半导体和第2半导体,所述第1半导体包含:第1传导型第1半导体、形成在第1传导型第1半导体的上方,具有与第1传导型第1半导体相反的传导型的第2传导型第1半导体、以及形成在第1传导型第1半导体和第2传导型第1半导体之间,有效载流子浓度比第1传导型第1半导体及第2传导型第1半导体更低的低载流子浓度第1半导体;所述第2半导体包含:与第2传导型第1半导体晶格匹配或准晶格匹配且具有与第2传导型第1半导体相反的传导型的第1传导型第2半导体、以及形成第1传导型第2半导体的上方,具有与第1传导型第2半导体相反的传导型的第2传导型第2半导体、形成在第1传导型第2半导体和第2传导型第2半导体之间且有效载流子浓度比第1传导型第2半导体及第2传导型第2半导体更低的低载流子浓度第2半导体。
公开/授权文献
- CN102449775A 半导体基板、光电转换器件、半导体基板的制造方法和光电转换器件的制造方法 公开/授权日:2012-05-09