发明授权
CN102452652B 太阳能级多晶硅制备中的真空固态挥发除磷的方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 太阳能级多晶硅制备中的真空固态挥发除磷的方法
- 专利标题（英）： Dephosphorizing method under vacuum solid volatilization in preparation of solar grade polysilicon
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申请号： CN201010528342.2申请日： 2010-11-02
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公开(公告)号： CN102452652B公开(公告)日： 2013-03-20
- 发明人: 史珺 , 程素玲
- 申请人： 上海普罗新能源有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区宣黄公路2455弄6号
- 专利权人： 上海普罗新能源有限公司
- 当前专利权人： 上海普罗新能源有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区宣黄公路2455弄6号
- 代理机构： 上海浦一知识产权代理有限公司
- 代理商 高月红
- 主分类号： C01B33/037
- IPC分类号： C01B33/037
摘要：
本发明公开了一种太阳能级多晶硅制备中的真空固态挥发除磷的方法，包括步骤：1)采用酸洗的方法，去除硅颗粒表面氧化层和晶界上的金属杂质，然后水洗，干燥；2)干燥后的硅颗粒中加入纳米级二氧化硅粉，混合后压片；3)将压片后的混合物在真空下进行加热保温。本发明无需将硅熔化，能耗低，并且操作容易。
公开/授权文献
- CN102452652A 太阳能级多晶硅制备中的真空固态挥发除磷的方法 公开/授权日：2012-05-16
