发明授权
- 专利标题： 包括熔丝阵列的半导体器件和操作其的方法
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申请号： CN201110361944.8申请日： 2011-11-15
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公开(公告)号： CN102467971B公开(公告)日： 2016-08-03
- 发明人: 孙钟弼 , 张星珍 , 文炳植 , 朴周燮
- 申请人： 三星电子株式会社
- 申请人地址： 韩国京畿道
- 专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 邵亚丽
- 优先权： 10-2010-0113488 2010.11.15 KR
- 主分类号： G11C17/16
- IPC分类号： G11C17/16 ; G11C17/18 ; H01L23/525
摘要：
提供一种包括熔丝的半导体器件以及操作其的方法。半导体器件包括熔丝阵列、第一寄存器单元以及第二寄存器单元。熔丝阵列包括多个行和列；第一寄存器单元从熔丝阵列接收至少一行的熔丝数据。至少一行的熔丝数据的熔丝数据通过第一寄存器单元并行接收。第二寄存器单元从第一寄存器单元一次至少一位地接收熔丝数据。
公开/授权文献
- CN102467971A 包括熔丝阵列的半导体器件和操作其的方法 公开/授权日：2012-05-23