本发明提供了一种金属栅电极的制作方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成介电层，在所述介电层的表面形成伪栅；采用选择性外延工艺在伪栅表面形成外延层；所述外延层在伪栅顶部边缘处形成外延突起，并具有外倾的侧表面；在所述外延层的侧表面形成绝缘侧壁；在伪栅两侧的半导体衬底内进行离子注入形成源、漏极；在上述半导体结构的表面形成层间介质层，并平坦化所述层间介质层的表面，直至露出伪栅顶部的外延层；去除所述伪栅及其表面的外延层，形成栅极开口；填充所述栅极开口形成金属栅电极。本发明有效避免了填充形成金属栅电极产生空洞的问题。