锗硅HBT的埋层形成方法

发明授权

CN102468209B 锗硅HBT的埋层形成方法有权转让

专利标题： 锗硅HBT的埋层形成方法
专利标题（英）： Method for forming buried layer of SiGe heterojunction bipolar transistor (HBT)
申请号： CN201010550588.X

申请日： 2010-11-19
公开(公告)号： CN102468209B

公开(公告)日： 2013-07-24
发明人: 王雷
申请人： 上海华虹NEC电子有限公司
申请人地址： 上海市浦东新区川桥路1188号
专利权人： 上海华虹NEC电子有限公司
当前专利权人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
当前专利权人地址： 上海市浦东新区川桥路1188号
代理机构： 上海浦一知识产权代理有限公司
代理商 丁纪铁
主分类号： H01L21/74
IPC分类号： H01L21/74 ; H01L21/331 ; G03F7/00 ; G03F7/20

摘要：

本发明公开了一种锗硅HBT的埋层形成方法，将光刻胶的曝光分为两次。第一次曝光聚焦于光刻胶接近表面的部分，形成主要图形。第二次曝光聚焦于光刻胶接近衬底的部分，对主要图形的底部进行附加曝光。从而使光刻胶底部形成的实际尺寸尽可能接近设计尺寸。

公开/授权文献

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70	.由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/71	..限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造（H01L21/28，H01L21/44，H01L21/48优先）
H01L21/74	...杂质高度集中的埋层的制作，例如集电极埋层、内部连接线