发明公开
- 专利标题: 薄膜晶体管阵列面板制造方法
- 专利标题(英): Method for manufacturing thin film transistor array panel
-
申请号: CN201110214106.8申请日: 2011-07-28
-
公开(公告)号: CN102479702A公开(公告)日: 2012-05-30
- 发明人: 郑钟铉 , 裵良浩 , 宋溱镐 , 徐五成 , 洪瑄英 , 吴和烈 , 金俸均 , 徐南锡 , 杨东周 , 李旺宇
- 申请人: 三星电子株式会社
- 申请人地址: 韩国京畿道
- 专利权人: 三星电子株式会社
- 当前专利权人: 三星显示有限公司
- 当前专利权人地址: 韩国京畿道
- 代理机构: 北京康信知识产权代理有限责任公司
- 代理商 余刚; 李丙林
- 优先权: 10-2010-0119744 2010.11.29 KR
- 主分类号: H01L21/3213
- IPC分类号: H01L21/3213 ; H01L21/28 ; H01L21/77
摘要:
一种薄膜晶体管阵列面板制造方法,包括:在栅绝缘层和栅极线上顺序形成第一硅层、第二硅层、下金属层和上金属层;在上金属层上形成第一膜图案;通过蚀刻上金属层和下金属层,形成第一下金属图案和包括突出部的第一上金属图案;通过蚀刻第一硅层和第二硅层,形成第一硅图案和第二硅图案;通过灰化第一膜图案形成第二膜图案;通过蚀刻第一上金属图案形成第二上金属图案;通过蚀刻第一下金属图案以及第一和第二硅图案,形成数据线和薄膜晶体管;以及在所得结构上形成钝化层和像素电极。
公开/授权文献
- CN102479702B 薄膜晶体管阵列面板制造方法 公开/授权日:2016-03-02