发明授权
- 专利标题: 红外传感器开关器件及其制作方法
- 专利标题(英): Infrared sensor switching device and manufacturing method thereof
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申请号: CN201010572107.5申请日: 2010-11-29
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公开(公告)号: CN102480285B公开(公告)日: 2014-07-09
- 发明人: 刘瑞文 , 焦斌斌 , 李志刚 , 陈大鹏
- 申请人: 中国科学院微电子研究所
- 申请人地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
- 专利权人: 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人: 中科仁健科技有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
- 代理机构: 北京市立方律师事务所
- 代理商 马佑平
- 主分类号: H03K17/78
- IPC分类号: H03K17/78
摘要:
本发明公开了一种基于微细加工技术的、利用双材料梁的残余应力来进行工作的红外传感器开关器件及其制作方法,所述制作方法首先提供一个衬底;然后在所述衬底上淀积并刻蚀形成金属梁,以形成第一电极;接着在所述结构上淀积形成牺牲层;以及在所述牺牲层上方依次淀积金属和非金属材料,刻蚀并释放形成双层材料悬臂梁,以形成可与所述第一电极接触的第二电极,所述双材料悬臂梁的下层金属材料应具有张应力,所述双材料悬臂梁的上层非金属材料应具有压应力。本发明提出的红外传感器开关器件结构简单实用,体积小,且制作工艺简单,同时巧妙利用了双材料悬臂梁的残余应力来进行工作。
公开/授权文献
- CN102480285A 红外传感器开关器件及其制作方法 公开/授权日:2012-05-30