发明授权
- 专利标题： 一种钌金属溅射靶材的制备方法
- 专利标题（英）： Preparation method of ruthenium metal sputtering target material
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申请号： CN201010581909.2申请日： 2010-12-06
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公开(公告)号： CN102485378B公开(公告)日： 2013-11-13
- 发明人: 罗俊锋 , 丁照崇 , 何金江 , 王欣平 , 江轩
- 申请人： 有研亿金新材料股份有限公司
- 申请人地址： 北京市西城区新街口外大街2号
- 专利权人： 有研亿金新材料股份有限公司
- 当前专利权人： 有研亿金新材料股份有限公司
- 当前专利权人地址： 北京市西城区新街口外大街2号
- 代理机构： 北京北新智诚知识产权代理有限公司
- 代理商 耿小强
- 主分类号： B22F3/14
- IPC分类号： B22F3/14 ; C23C14/14 ; C23C14/34
摘要：
本发明涉及一种钌金属溅射靶材制备方法。该发明通过直接热压的方法制备钌金属溅射靶材，热压温度1400℃～1700℃，压力为35MPa，保温保压时间10～60min。通过这种方法得到的钌金属靶材的密度可以达到98％以上，平均晶粒尺寸在20μm以下，氧含量可以达到200ppm以下。
公开/授权文献
- CN102485378A 一种钌金属溅射靶材的制备方法 公开/授权日：2012-06-06
