本发明提供一种沟槽功率器件结构的制造方法，包括步骤：提供衬底，分为有源区和终端结构区域；通过离子注入和扩散工艺在衬底中形成保护环；在衬底表面形成场氧，完成有源区的定义；在衬底和场氧表面形成沟槽硬掩模层和光刻胶层，并对光刻胶层作图形化，沟槽位置与场氧边缘有部分重叠；依次刻蚀沟槽硬掩模层和场氧，露出衬底；以沟槽硬掩模层为掩模，刻蚀衬底形成沟槽，后去除沟槽硬掩模层；在沟槽内壁生长栅极氧化层，其在沟槽顶部边缘伸入场氧下方形成鸟嘴；进行后续半导体工艺，完成沟槽功率器件结构的制造过程。本发明在原有工艺过程中不增加工艺步骤，避免沟槽顶部尖角的形成，防止了由于沟槽顶部尖角导致的栅极漏电失效和可靠性问题的产生。