Invention Grant
- Patent Title: 一种嵌入式双探针等离子体密度测量装置
- Patent Title (English): Plasma density measuring equipment of high temperature resistant embedded double-probe type
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Application No.: CN201110337849.4Application Date: 2011-10-31
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Publication No.: CN102508002BPublication Date: 2014-02-19
- Inventor: 周建发
- Applicant: 北京遥测技术研究所
- Applicant Address: 北京市9200信箱74分箱
- Assignee: 北京遥测技术研究所
- Current Assignee: 北京遥测技术研究所
- Current Assignee Address: 北京市9200信箱74分箱
- Agency: 中国航天科技专利中心
- Agent 范晓毅
- Main IPC: G01R19/00
- IPC: G01R19/00

Abstract:
本发明涉及一种耐高温嵌入式双探针等离子体密度测量装置,用于再入飞行时测量飞行器周围密度为108~1011cm-3的等离子体,主要包括两根铱电极探针,两个探针电极保护环,氮化硼绝缘底座、两根电极连接导线及检测电路,嵌入式双探针采用金属铱作电极,氮化硼作绝缘电极,设置有探针电极保护环以减小边缘效应,提高测量精度,探针电极保护环与铱电极探针之间的间距小于或等于德拜长度,本发明测量装置能直接安装在再入飞行器表面实时连续测量边界层内等离子体密度,探针抗氧化,不影响飞行器的气动外形,能长时间连续测量,体积小、精度高。
Public/Granted literature
- CN102508002A 一种耐高温嵌入式双探针等离子体密度测量装置 Public/Granted day:2012-06-20
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