- 专利标题: 二氧化钒智能温控薄膜制备用有机钒源及该薄膜制备方法
- 专利标题(英): Organic vanadium source for preparation of vanadium dioxide intelligent temperature control film and preparation method of film
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申请号: CN201110342511.8申请日: 2011-11-03
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公开(公告)号: CN102515563A公开(公告)日: 2012-06-27
- 发明人: 黄富强 , 丁尚军 , 刘战强 , 李德增
- 申请人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
- 申请人地址: 上海市长宁区定西路1295号
- 专利权人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
- 当前专利权人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
- 当前专利权人地址: 上海市长宁区定西路1295号
- 代理机构: 上海瀚桥专利代理事务所
- 代理商 曹芳玲; 郑优丽
- 主分类号: C03C17/23
- IPC分类号: C03C17/23 ; C04B41/50 ; C23C20/08 ; C09D1/00 ; C01G31/02
摘要:
本发明涉及二氧化钒智能温控薄膜制备用有机钒源及该薄膜制备方法,提供一种适用于通过溶胶-凝胶法制备智能温控二氧化钒薄膜的有机钒源前驱体,其中,以钒酸盐和有机季铵盐为原料,通过沉淀法合成所述有机钒源前驱体。本发明提供的有机钒源前驱体通过简单的沉淀法合成,可降低成本。采用本发明提供的有机钒源前驱体,可适用溶胶凝胶法来制备可热致调光的智能温控二氧化钒薄膜。
公开/授权文献
- CN102515563B 二氧化钒智能温控薄膜制备用有机钒源及该薄膜制备方法 公开/授权日:2014-07-16