发明公开
- 专利标题: 一种钨基面向等离子体材料及其制备方法
- 专利标题(英): Tungsten-based plasma facing material and preparation method thereof
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申请号: CN201210048323.9申请日: 2012-02-29
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公开(公告)号: CN102560292A公开(公告)日: 2012-07-11
- 发明人: 罗广南 , 赵四祥 , 刘凤 , 李强 , 王万景 , 谢春意
- 申请人: 中国科学院等离子体物理研究所
- 申请人地址: 安徽省合肥市蜀山区蜀山湖路350号
- 专利权人: 中国科学院等离子体物理研究所
- 当前专利权人: 中国科学院等离子体物理研究所
- 当前专利权人地址: 安徽省合肥市蜀山区蜀山湖路350号
- 代理机构: 安徽合肥华信知识产权代理有限公司
- 代理商 余成俊
- 主分类号: C22C47/14
- IPC分类号: C22C47/14 ; C22C49/14 ; C22C49/10 ; C22C111/02
摘要:
本发明公开了一种钨基面向等离子体材料及其制备方法,其是由利用不至于损伤钨纤维的混粉方法使钨粉粉末与钨纤维混合均匀,然后利用热等静压工艺烧结制备块体纤维增韧钨基材料而得,且所述的钨粉是纯钨粉末、钨铼合金粉末,或掺杂碳化物和氧化物的钨粉粉末中的一种,所述的钨纤维是纯钨丝或钨铼等合金丝。本发明具有高导热、高熔点摄氏度、低溅射产额、低氢同位素滞留和低蒸气压的优点,同时成本低,具有较大的韧性。
公开/授权文献
- CN102560292B 一种钨基面向等离子体材料及其制备方法 公开/授权日:2013-11-27